型号:SI4922BDY-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 16 毫欧 @ 5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 62nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2070pF @ 15V |
功率_最大 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市信佳源电子有限公司 | 陈小姐086-13691818754 |
深圳市立锜源电子有限公司 | 李13717008271 |
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深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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